Транзистор IPD09N03LA

Транзистор IPD09N03LA

Корпус DPAK (TO252AA)

Предельные и силовые параметры

• Тип устройства: N-канальный MOSFET, логический уровень управления (Logic Level) .
• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 25 В .
• Максимальный постоянный ток стока (ID):
  • 50 А — при температуре корпуса 25°C .
  • 45 А — при температуре корпуса 100°C .
• Импульсный ток стока (IDM): 350 А .
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
  • Максимальное значение: 8.6 мОм (при VGS = 10 В, ID = 30 А) .
  • Максимальное значение: 14.8 мОм (при VGS = 4.5 В, ID = 30 А) .
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 63 Вт (при температуре корпуса 25°C) .

Температурные параметры (важно для расчета радиатора)

• Максимальная температура перехода (Tj): +175°C .
• Минимальная рабочая температура (Tj): -55°C .
• Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC): 2.4 °C/Вт (максимальное) .
• Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (RthJA):
  • 75 °C/Вт — на плате с минимальной медной площадью .
  • 50 °C/Вт — на плате с медной площадью 6 см² .

Электрические характеристики (динамические и статические)

• Технология: OptiMOS — обеспечивает сверхнизкое сопротивление канала и малый заряд затвора .
• Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В (максимальное) .
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2 В (максимум при токе 20 мкА) .
• Полный заряд затвора (Qg): 13 нКл (при VGS = 5 В) .
• Входная емкость (Ciss): 1642 пФ (при VDS = 15 В) .
• Выходная емкость (Coss): 630 пФ (типовое) .
• Энергия лавинного пробоя (EAS): 75 мДж (неповторяющаяся) .

Особенности и преимущества

• Логический уровень управления: Полное открытие при напряжении затвора 4.5 В, совместим с микроконтроллерами и логическими схемами .
• Высокая рабочая температура: До 175°C, что позволяет использовать его в условиях повышенных температур .
• Малый заряд затвора: Обеспечивает высокую скорость переключения и низкие динамические потери .
• Отличное соотношение RDS(on) × Qg: Минимизирует потери проводимости и переключения .
• Соответствие стандартам: Квалифицирован по JEDEC для целевых применений .

Для чего применяется (Области применения)

Благодаря низкому сопротивлению канала, малому заряду затвора и логическому уровню управления, этот транзистор идеально подходит для высокочастотных приложений:

• Высокочастотные DC/DC преобразователи: Используется в понижающих (buck) и повышающих (boost) конвертерах, включая модули питания процессоров и памяти .
• Импульсные источники питания (SMPS): В первичных и вторичных цепях блоков питания .
• Управление двигателями (Motor Control): В драйверах электродвигателей постоянного тока, включая электроинструмент и бытовую технику .
• Коммутация нагрузок: Замена электромеханических реле в автомобильной электронике (12В и 24В системы) и промышленной автоматике.
• Схемы питания светодиодов (LED Drivers): Для управления мощными светодиодными модулями.