Транзистор DTC124ES

Транзистор DTC124ES

TO92 (SC-43)

Основные характеристики:

• Тип: Биполярный транзистор NPN-структуры со встроенными резисторами (цифровой транзистор, резистор-транзисторная логика — RTL).
• Корпус: TO-92 (пластиковый, для сквозного или поверхностного монтажа, вариант SC-43).
• Материал: Кремний.

Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings) при Ta = 25°C:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 50 В.
• Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 В.
• Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V.
• Коллекторный ток (IC): 100 мА.
• Ток базы (IB): 20 мА.
• Мощность рассеяния (Ptot): 200 мВт.
• Диапазон рабочих температур (Topr): от -55 °C до +150 °C.
• Диапазон температур хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C.

Основные рабочие характеристики при Ta = 25°C (если не указано иное):

• Встроенные резисторы (типовые значения):
  • Резистор между базой и эмиттером (R1): 10 кОм.
  • Резистор между базой и входным выводом (R2): 10 кОм.
• Коэффициент передачи тока (hFE):
  • Диапазон: от 80 до 240 (при VCE = 5 В, IC = 5 мА).
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
  • Максимальное: 0.3 В (при IC = 10 мА, IB = 0.5 мА).
  • Максимальное: 0.4 В (при IC = 50 мА, IB = 2.5 мА).
• Входное пороговое напряжение (VIH — напряжение для включения): Определяется делителем R1/R2. Типовое напряжение включения находится в диапазоне 2.0 — 2.5 В при питании 5 В.
• Ток смещения (Input Bias Current, Iin): Определяется резисторами R1 и R2. При подаче на вход 5 В ток через входные резисторы составит примерно 0.25 мА.
• Входная емкость: Очень низкая благодаря последовательным резисторам.
• Состояние по умолчанию: Благодаря резистору R1, подключенному между базой и эмиттером, транзистор гарантированно закрыт (выключен) при отсутствии управляющего сигнала на входе или при обрыве цепи управления.

Структура и распиновка (TO-92): Внутренняя структура представляет собой транзистор NPN, база которого подключена к входному выводу через резистор R2 (10 кОм), и дополнительно "подтянута" к эмиттеру через резистор R1 (10 кОм).

• Эмиттер (E)
• База/Вход (B)
• Коллектор (C)

Основные особенности и преимущества:

• Подавление помех: Встроенные резисторы обеспечивают высокий импеданс входа и эффективно подавляют высокочастотные помехи и статическое электричество, делая компонент устойчивым к ложным срабатываниям.
• Простота управления: Позволяет управлять транзистором напрямую от цифровых выходов микроконтроллеров (логические уровни 3.3 В или 5 В) без необходимости во внешних токоограничивающих резисторах для базы.
• Надежность: Гарантированно выключенное состояние при обрыве управления.

Основные области применения: Транзистор предназначен для коммутации маломощных нагрузок в интерфейсных и буферных каскадах. Типичное применение:

• Непосредственное управление реле, соленоидами, светодиодами (с током до 100 мА) от выходов микроконтроллера.
• Усиление тока в цифровых схемах.
• Ключи для сброса, включения/выключения питания маломощных узлов.
• Уровень связи между различными логическими семействами.
• Входные каскады, требующие высокой помехоустойчивости.