Транзистор CSD18542KCS

Транзистор MOS-FET. N-P-N переход.

Фото НЕ из интернета!

Номер партии может отличаться от указанного на фото. Зависит от поставки. Но это никак не влияет на качество товара.

Краткие характеристики:

60V 200A@25℃ 200W 4mΩ Vgs=1.5-2.2V 5070pF -55℃+175℃

Описание:

Общие характеристики Тип транзистора: N-канальный полевой MOSFET (МОП-транзистор) Производитель: Texas Instruments Технология: NexFET Корпус: TO-220-3 (монтаж в отверстия - THT) Электрические параметры Максимальное напряжение сток-исток: 60 В Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В Пороговое напряжение включения: 2.2 В Максимальный постоянный ток стока: 170 А Рассеиваемая мощность: 200 Вт Сопротивление открытого канала: 0.004 Ом Входная емкость (затвор-исток): 570 пФ Динамические характеристики Общий заряд затвора: 21 нКл Время нарастания импульса открытия: 5 нс Тепловые характеристики Максимальная рабочая температура канала: 175°C Особенности применения Транзистор предназначен для использования в силовых схемах, где требуется управление большими токами при относительно невысоком напряжении. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой мощности рассеивания, устройство подходит для применения в: Импульсных источниках питания Преобразователях напряжения Силовых ключах Драйверах двигателей При монтаже рекомендуется использовать радиатор с толщиной не менее 1.14 мм для эффективного отвода тепла.