•
Реклама
Код товара: 2484415462
Транзистор BUZ110S #1
Постоплата

Транзистор BUZ110S

Задать вопрос
О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
31x11x5
463 ₽ 
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
12.6 K
О магазине

Описание

Транзистор BUZ110S

Корпус TO220

Основные параметры
  • Тип: N-канальный (N-Channel) MOSFET, режим обогащения (Enhancement mode)
  • Технология: SIPMOS (Power Transistor)
  • Корпус: TO-220AB (TO-220-3)
    • Монтаж: Сквозной (Through Hole)
    • Количество выводов: 3
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 55 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID):
    • 80 А (наиболее частое значение)
    • 66 А (в некоторых источниках)
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): 0.01 Ом (10 мОм)
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): Информация отсутствует в найденных источниках.
  • Заряд затвора (Qg): Информация отсутствует в найденных источниках.
  • Входная ёмкость (Ciss): Информация отсутствует в найденных источниках.
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2…4 В (типовое)
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): Информация отсутствует в найденных источниках.
  • Максимальная рабочая температура (Tj): +175°C
Цоколевка (распиновка) для TO-220AB

Вид на маркированную сторону корпуса, выводы вниз:
  • Затвор (Gate)
  • Сток (Drain) — соединён с металлическим фланцем.
  • Исток (Source)
Особенности и преимущества
  • N-канальный транзистор в режиме обогащения.
  • Рассчитан на лавинный пробой (Avalanche rated) и высокую скорость нарастания напряжения (dv/dt rated).
  • Высокая рабочая температура до 175°C.
  • Низкое сопротивление канала (10 мОм), обеспечивающее малые потери мощности.
Область применения
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Управление двигателями (Motor control)
  • Высокоскоростные ключевые схемы
⚠️ Важно
  • Теплоотвод: Для работы на максимальных токах рекомендуется установка на радиатор с теплопроводящей пастой. Металлический фланец корпуса электрически соединён со стоком (Drain).
  • Управление: Для достижения минимального сопротивления канала (RDS(on) = 10 мОм) необходимо подавать напряжение на затвор VGS = 10 В

Комплектация

1 шт. Транзистор BUZ110S

#Транзистор
#BUZ110S
#TO220
#MOSFET

Характеристики

Артикул
2484415462
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
31x11x5
Вес товара, г
3.3
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Отзывы о товаре 0 Транзистор BUZ110S
Рейтинга пока нет. Он формируется на основе актуальных отзывов на заказанные и оплаченные товары

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.