Транзистор MOS-FET BUZ100SL
Корпус D2PAK (TO263)
Основные параметры
- Тип: N-канальный (N-Channel) MOSFET, режим обогащения (Enhancement Mode)
- Серия: SIPMOS
- Особенность: Logic Level — полное открытие при напряжении 5 В, что позволяет управлять напрямую от микроконтроллеров
- Корпус: D2PAK (TO-263) — поверхностный монтаж (SMD)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 55 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 42 А (при TC = 25°C)
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 168 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): ≤ 0.022 Ом (22 мОм) (типовое при VGS = 5 В)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1–2 В (характерно для Logic Level)
- Рассеиваемая мощность (PD): 94 Вт (с теплоотводом, при TC = 25°C)
- Входная ёмкость (Ciss): ~2400 пФ
- Выходная ёмкость (Coss): ~700 пФ
- Обратная ёмкость (Crss): ~200 пФ
- Общий заряд затвора (Qg): ~45 нКл (при VGS = 5 В)
- Особенность структуры: Avalanche-rated — допускает работу в режиме лавинного пробоя без разрушения
- Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +175°C
Цоколевка (распиновка) для D2PAK
Вид на маркированную сторону корпуса (сверху):
- Затвор (Gate)
- Сток (Drain) — соединён с теплоотводящим фланцем
- Исток (Source)
Особенности и преимущества
- Логический уровень управления (Logic Level): Полное открытие при напряжении 5 В, что позволяет подключать транзистор напрямую к выходам микроконтроллеров или драйверов верхнего плеча без дополнительных бутстрепных цепей.
- Защита от лавинного пробоя (Avalanche-rated): Высокая надёжность при перегрузках.
- Низкое сопротивление канала: Обеспечивает малые потери мощности.
- Высокая рабочая температура: До +175°C.
Область применения
Благодаря логическому уровню управления и низкому сопротивлению, транзистор широко используется в:
- Автомобильной электронике (инверторы, управление лебедками)
- Контроллерах мощных электродвигателей
- DC/DC-преобразователях синхронного типа
- Ключах «H-мост» в робототехнике
- Системах бесперебойного питания (UPS)