Транзистор BUK446-800A

Транзистор MOS-FET BUK446-800A

Корпус TO220F

Основные характеристики:

• Тип: Полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (MOSFET) N-канального типа.
• Корпус: TO-220F (изолированный пластиковый корпус TO-220, монтажная пластина электроизолирована от внутренних контактов).
• Материал: Кремний.

Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings) при Tc = 25°C:

• Напряжение сток-исток (VDSS): 800 В.
• Напряжение затвор-исток (VGSS): ±20 В.
• Постоянный ток стока (ID): 6 А.
  • Импульсный ток стока (IDM): 24 А.
• Максимальная мощность рассеяния (PD) при Tc = 25°C: 75 Вт.
  • Коэффициент снижения мощности: 0.6 Вт/°C (линейное снижение выше 25°C).
• Диапазон температур перехода (Tj): от -55 °C до +150 °C.
• Диапазон температур хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C.

Основные рабочие и статические характеристики при Tj = 25°C:

• Сопротивление открытого канала (RDS(on)):
  • Максимальное: 1.5 Ом (при VGS = 10 В, ID = 3 А).
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)):
  • Диапазон: от 3.0 В до 5.0 В (при VDS = VGS, ID = 1 мА).
• Входная ёмкость (Ciss): 900 пФ (типовое, при VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц).
• Выходная ёмкость (Coss): 110 пФ (типовое, при VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц).
• Ёмкость обратной связи (Crss): 15 пФ (типовое, при VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц).

Динамические (переключательные) характеристики:

• Общий заряд затвора (Qg): 30 нКл (типовое, при VDS = 400 В, ID = 3 А, VGS = 10 В).
• Время задержки включения (td(on)): 20 нс (типовое).
• Время нарастания (tr): 60 нс (типовое).
• Время задержки выключения (td(off)): 100 нс (типовое).
• Время спада (tf): 60 нс (типовое).

Внутренние элементы:

• Интегрированный обратный диод: Между стоком и истоком присутствует встроенный быстрый диод (Body Diode).
  • Максимальный прямой ток диода (ISD): 6 А.
  • Время обратного восстановления диода (trr): 250 нс (типовое).

Основные области применения: Транзистор является высоковольтным ключевым прибором, оптимизированным для работы в сетевых (линейных) приложениях. Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) с сетевым питанием (обратноходовые, прямоходовые, полумостовые топологии) для устройств мощностью до нескольких сотен ватт.
• Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и преобразователи для управления двигателями и освещением (электронные балласты, драйверы светодиодов).
• Строчные каскады в мониторах и телевизорах. Изолированный корпус TO-220F позволяет монтировать транзистор на общий теплоотвод или шасси без необходимости в дополнительной изоляции, что упрощает конструкцию и улучшает теплопередачу.