Транзистор биполярный BF970
Корпус TO50 (SOT-103)
Это высокочастотный n-p-n кремниевый транзистор, специально разработанный для работы в усилителях радиочастотного (РЧ) диапазона, особенно в УКВ (FM) тюнерах телевизоров и радиоприемников.
Список основных параметров BF970:
- Тип транзистора: N-P-N
- Материал: Кремний (Si)
- Назначение: Усилитель высокой частоты (ВЧ) и сверхвысокой частоты (СВЧ)
- Корпус:
- Обозначение: TO-50 (также известен как SOT-103)
- Особенность: Металлический, с 4-мя выводами (коллектор, база, эмиттер и экранный вывод, который соединяется с общим проводом на плате для повышения стабильности).
- Граничная частота коэффициента передачи тока (fт): 1300 МГц (1.3 ГГц) — ключевой параметр, определяющий высокочастотные возможности.
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 20 В
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 30 В
- Ток коллектора (IC макс.): 30 мА
- Рассеиваемая мощность коллектора (Ptot):
- При Tокр = 25°C: 300 мВт
- При Tкейса = 75°C: 150 мВт (с понижающим коэффициентом)
- Коэффициент шума (F): 3.0 дБ (типовое значение при f=200 МГц, IC=2 мА, VCE=8 В) — очень хороший показатель для малошумящего усилителя.
- Коэффициент передачи тока (hFE):
- Минимальное значение: 40
- Типовое значение: 80 - 160
- Максимальное значение: -
- *(Измеряется при VCE=5 В, IC=2 мА)*
- Ёмкость коллектор-база (Cob): 0.55 пФ (максимальное при VCB=10 В) — очень низкая ёмкость, что критически важно для работы на высоких частотах.
Аналоги (прямая замена):
- BF971 — очень близкий аналог, практически идентичный по характеристикам.
- BF224
- BF311
- 2SC2999
Применение в схемах:
Транзистор BF970 использовался в качестве:
- Усилителя высокой частоты (ВЧ-головка) в УКВ-тюнерах.
- Гетеродина в телевизионных и радиоприемных модулях.
- Усилителя промежуточной частоты (ПЧ) в аппаратуре высокого класса.
Список температурных параметров BF970:
- Температура перехода (Tj):
- Максимальная температура p-n перехода: +175 °C
- Это абсолютный максимум, превышение которого ведет к необратимому повреждению транзистора.
- Температура хранения (Tstg):
- Диапазон температур хранения: от -65 °C до +175 °C
- Температура пайки:
- Пайка в течение 10 секунд: +260 °C
- Важно не превышать это время и температуру при монтаже.
- Температурный диапазон работы:
- Рабочий температурный диапазон корпуса (Tcase): Обычно составляет от -55 °C до +125 °C для подобных военных и промышленных компонентов. (В даташите требуется уточнение, но это стандартный диапазон).
- Температурные зависимости электрических параметров:
- Температурный коэффициент напряжения база-эмиттер (dVBE/dT): Примерно -2 мВ/°C. Это стандартное значение для кремниевых транзисторов — напряжение база-эмиттер падает с ростом температуры.
- Зависимость коэффициента передачи тока (hFE) от температуры: Коэффициент hFE увеличивается с ростом температуры. Конкретная зависимость обычно приводится в виде графика в даташите.
- Зависимость граничной частоты (fT) от температуры: fT также увеличивается с ростом температуры, что может влиять на усиление на высоких частотах.
- Тепловые параметры:
- Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthj-c): 250 °C/Вт (максимальное).
- *Этот параметр показывает, на сколько градусов Цельсия нагревается переход относительно корпуса при рассеивании 1 Вт мощности. Высокое значение (250 °C/Вт) указывает на необходимость осторожного обращения с мощностью — даже 300 мВт вызовет нагрев перехода на 75°C выше температуры корпуса.*
Практический вывод из температурных параметров:
- Охлаждение: Из-за высокого теплового сопротивления (Rthj-c = 250 °C/Вт) этот транзистор очень чувствителен к перегреву. Например, если на нем рассеивается максимальная мощность 300 мВт (0.3 Вт), то даже при температуре корпуса в 25°C, температура перехода составит: Tj = 25°C + (0.3 Вт * 250 °C/Вт) = 100°C.
- Температурная стабильность схемы: Изменение VBE и hFE от температуры требует, чтобы схемы смещения (например, в усилителях) были термостабильными, иначе рабочий ток и усиление будут "уплывать" при нагреве.
Важное примечание: Этот транзистор является устаревшим, но его параметры до сих пор считаются очень хорошими. При замене важно соблюдать монтаж: экранный вывод (корпус) должен быть надежно заземлен для предотвражения самовозбуждения на высоких частотах.