Транзистор 2Т839А

Транзисторы 2Т839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Технические параметры:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,375 Ом.