Транзистор MOS-FET 2SK2690
Корпус TO-3P
Основные параметры
- Тип: N-канальный (N-Channel) MOSFET
- Серия: FAP-IIIB
- Корпус: TO-3P (также обозначается как TO-228AA, SC-65)
- Монтаж: Сквозной (Through Hole)
- Количество выводов: 3
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): ±80 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 320 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)):
- 7.5 мОм (при VGS = 10 В)
- 10 мОм
- 17 мОм
- Рассеиваемая мощность (PD): 125 Вт
- Энергия лавинного пробоя (EAV): 599 мДж
- Заряд затвора (Qg): Информация отсутствует в открытых источниках
- Входная ёмкость (Ciss): 3500 пФ (тип.)
- Выходная ёмкость (Coss): 1250 пФ (тип.)
- Обратная ёмкость (Crss): 360 пФ (тип.)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2.0...4.0 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Время включения (ton): 55 нс (тип.)
- Время выключения (toff): 285 нс (тип.)
- Диапазон рабочих температур (Tj): от -55°C до +150°C
Цоколевка (распиновка) для TO-3P
Вид на маркированную сторону корпуса, выводы вниз:
- Затвор (Gate)
- Сток (Drain) — соединён с металлическим фланцем.
- Исток (Source)
Особенности и преимущества
- Высокая скорость переключения (High speed switching)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (Low on-resistance)
- Отсутствие вторичного пробоя (No secondary breakdown)
- Низкая мощность управления (Low driving power)
- Имеет рейтинг лавинной стойкости (Avalanche Rated)
Область применения
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- DC/DC-преобразователи
⚠️ Важно
- Теплоотвод: Для работы на максимальной мощности (125 Вт) обязательна установка на радиатор с теплопроводящей пастой. Металлический фланец корпуса электрически соединён со стоком (Drain).
- Напряжение: Транзистор рассчитан на низкое напряжение (60 В), но при этом на очень высокий ток (до 80 А). Это важно учитывать при замене.