Транзистор 2SJ307

Транзистор MOS-FET 2SJ307

Корпус TO220F

Общие характеристики

• Тип устройства: P-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Технология: Кремниевый, с изолированным корпусом (Micaless package)
• Корпус: TO-220ML (также обозначается как TO-220F, TO-220 FullPAK)
• Назначение: Ultrahigh-Speed Switching Applications (ультравысокоскоростное переключение)

Предельные и силовые параметры (Absolute Maximum Ratings, Ta=25°C)

• Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): -250 В
• Максимальный постоянный ток стока (ID): -6 А
• Импульсный ток стока (IDM): -24 А
• Максимальное напряжение затвор-исток (VGSS): ±30 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 30 Вт (при Tc=25°C)
• Ток стока в закрытом состоянии (IDSS): -100 мкА (при VDS= -250 В)

Температурные параметры (важно для расчета радиатора)

• Максимальная температура канала (Tch): +150 °C
• Температура хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C

Электрические характеристики (Electrical Characteristics, Ta=25°C)

• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.75 Ом (макс.)
  • Примечание: В документации встречается также значение 1.0 Ом в зависимости от условий измерения .
• Крутизна характеристики (|yfs|): 5 См (Siemens)
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): -2.5 В ... -1.5 В
• Ток утечки затвора (IGSS): ±10 мкА (при VGS= ±25 В)
• Входная емкость (Ciss): 520 пФ (тип.)
• Выходная емкость (Coss): 235 пФ (тип.)
• Проходная емкость (Crss): 150 пФ (тип.)
• Время задержки включения (td(on)): 42 нс (тип.)
• Время нарастания (tr): 37 нс (тип.)
• Время задержки выключения (td(off)): 155 нс (тип.)
• Время спада (tf): 130 нс (тип.)
• Встроенный диод: Прямое напряжение встроенного диода (V_SD) составляет -1.5 В (макс.)

Назначение выводов (TO-220ML)

Корпус TO-220ML (TO-220F) имеет три вывода:

• Gate (G) — Затвор
• Drain (D) — Сток
• Source (S) — Исток

Важно: Металлическая подложка (таблетка) корпуса TO-220ML электрически изолирована от кристалла, что позволяет устанавливать транзистор на радиатор без изолирующей прокладки .

Для чего применяется (Области применения)

Этот транзистор разработан для ультравысокоскоростного переключения и используется в силовых цепях, где требуется P-канальная проводимость и управление от низкого напряжения (Low-voltage drive) :

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Драйверы двигателей (Motor Drives)
• Схемы управления питанием и электронные выключатели (Load Switches)
• Power Management Systems