Транзистор биполярный 2SC5682
Корпус TO-3P(LH)
Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings)
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 150 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 150 В
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Постоянный ток коллектора (IC): 15 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 130 Вт (при температуре корпуса Tc = 25 °C с радиатором)
- Температура перехода (Tj): 150 °C
- Температура хранения (Tstg): от -55 °C до +150 °C
2. Основные электрические характеристики (Electrical Characteristics, Tc = 25 °C)
- Коэффициент усиления по току (hFE):
- 55 - 160 (при IC = 3 А, VCE = 5 В)
- 35 - 120 (при IC = 10 А, VCE = 5 В)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
- макс. 0.5 В (типовое 0.2 В) при IC = 5 А, IB = 1 А
- Напряжение насыщения база-эмиттер (VBE(sat)):
- макс. 2.0 В (типовое 1.2 В) при IC = 5 А, IB = 1 А
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ (hFB): 0.985 - 0.998 (при IC = 5 А, VCE = 5 В)
- Граничная частота усиления (fT): 20 МГц (типовое) при IC = 5 А, VCE = 10 В
3. Общая информация и применение
- Тип транзистора: NPN
- Материал: Кремний (Si)
- Основное назначение: Мощные низкочастотные усилители и ключевые схемы.
- Типичное применение:
- Выходные каскады мощных усилителей звуковой частоты (УНЧ) класса Hi-Fi.
- Импульсные стабилизаторы напряжения.
- Силовые ключи в мощных устройствах (например, управление двигателями).