Реклама
Транзистор 2SC3866 #1

Транзистор 2SC3866

О товаре
Перейти к описанию
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Номинальное напряжение, В
900
Количество в упаковке, шт
1
Товар закончился
260 ₽ 
Нет в наличии
Магазин
Подписаться
IC24DN
Перейти
4.8
Чат
Заказы
12.7 K
О магазине

Описание

Транзистор биполярный 2SC3866

Корпус TO220F

Основные статические характеристики
  • Тип проводимости: NPN.
  • Материал: Кремний.
  • Назначение: Высоковольтная, высокочастотная коммутация и усиление мощности.
  • Особенность: Транзистор с двойной диффузией, оптимизированный для работы на высоких частотах при повышенных напряжениях.
Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings)
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): +900 В.
  • Напряжение коллектор-база (VCBO): +1500 В.
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO): +8 В.
  • Коллекторный ток (IC):
    • Непрерывный: +6 А.
    • Импульсный: +12 А.
  • Рассеиваемая мощность коллектора (PC):
    • При температуре корпуса (TC) = 25°C: 50 Вт.
    • *Мощность снижается линейно с ростом температуры корпуса выше +25°C.*
  • Диапазон температуры перехода (Tj): от -55°C до +150°C.
Электрические характеристики (при TC = 25°C, если не указано иное)

Характеристики в режиме отсечки и пробоя
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)CEO): Минимум +900 В (при IC = 10 мА, IB = 0).
  • Обратный ток коллектора (ICBO): Не более +1.0 мА (при VCB = +900 В, IE = 0, Tj = 100°C).
  • Обратный ток эмиттера (IEBO): Не более +100 мкА (при VEB = +8 В, IC = 0).
Характеристики в режиме насыщения и усиления
  • Статический коэффициент передачи тока (hFE):
    • При VCE = 5 В, IC = 1.0 А: от 15 до 60.
    • При VCE = 5 В, IC = 3.0 А: от 10 до 40.
    • (Типичный для высоковольтных транзисторов низкий и нормированный диапазон).
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
    • Максимальное: +2.0 В (при IC = 3.0 А, IB = 0.6 А).
    • Типовое: +1.0 В.
  • Напряжение насыщения база-эмиттер (VBE(sat)):
    • Максимум: +2.0 В (при IC = 3.0 А, IB = 0.6 А).
    • Типовое: +1.5 В.
Динамические характеристики (ключевой параметр)
  • Время переключения:
    • Время включения (ton): 0.3 мкс (макс., при IC = 3.0 А, IB1 = 0.6 А, IB2 = -0.6 А).
    • Время рассасывания (ts): 1.2 мкс (макс., при тех же условиях).
    • Время выключения (tf): 0.1 мкс (макс., при тех же условиях).
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (fT): Минимум 10 МГц (при VCE = 10 В, IC = 0.5 А, f = 30 МГц).
  • Выходная емкость (Cob): Типовое 30 пФ (при VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц).
  • Коэффициент обратной связи по напряжению (hre): Малый, что способствует устойчивости на высокой частоте.
Тепловые параметры
  • Тепловое сопротивление:
    • Переход-корпус (Rth(j-c)): Максимум 2.5 °C/Вт.
    • *Изолированная пластина корпуса TO-220F не имеет электрического контакта с выводами.*
Рекомендации для стабильной и надежной работы
  • Целевое применение: Транзистор предназначен для использования в выходных каскадах строчной развертки цветных телевизоров и мониторов с диагональю до 29 дюймов, а также в высоковольтных импульсных преобразователях с рабочей частотой до нескольких десятков килогерц.
  • Критическая важность драйвера: Для обеспечения заявленного быстродействия и предотвращения перегрева из-за работы в активном режиме необходим правильно рассчитанный драйвер. Он должен:
    • Обеспечивать достаточный положительный ток базы для насыщения (IB1).
    • Обязательно формировать отрицательный ток базы (IB2) для быстрого удаления накопленного заряда. Величина IB2 должна быть сравнима с IB1. Без этого время рассасывания (ts) возрастает в разы.
  • Теплоотвод: Обязательна установка на радиатор соответствующего размера. Благодаря изолированной пластине корпус TO-220F можно крепить непосредственно на общий радиатор без изолирующей прокладки, что улучшает тепловой контакт.
  • Защитные цепи (обязательны): Работа с индуктивной нагрузкой (строчный трансформатор) требует применения:
    • Снабберной цепи (RCD Snubber): Для ограничения выбросов напряжения на коллекторе.
    • Демпферного диода (Damper Diode): Быстродействующего высоковольтного диода, включенного встречно-параллельно между коллектором и эмиттером (или шиной питания).
  • Соблюдение безопасной рабочей области (SOA): Особенно важно контролировать режим включения, когда одновременно присутствуют высокое напряжение и большой ток. Необходимо использовать параметры безопасной рабочей области при включении (RBSOA) из технической документации.
  • Монтаж: Силовые цепи (коллектор, эмиттер) должны иметь минимальную длину для снижения паразитной индуктивности, которая может стать источником опасных выбросов. Цепь базы также должна быть короткой для сохранения быстродействия.

Комплектация

1 шт. Транзистор 2SC3866

#Транзистор
#биполярный
#2SC3866
#TO220F
Артикул
2484414553
Тип
Активные электронные компоненты
Тип корпуса для электрокомпонентов
Стандартный
Вид активного компонента
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Номинальное напряжение, В
900
Количество в упаковке, шт
1
Размеры, мм
31x11x5
Вес товара, г
3.3
Страна-изготовитель
Китай
Гарантия
7 дней
Информация о технических характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и основывается на последних доступных к моменту публикации сведениях
Рейтинга пока нет. Он формируется на основе актуальных отзывов на заказанные и оплаченные товары

Как правильно задавать вопросы?

Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь

Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией

Как отвечать на вопросы?

Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.

Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.