Транзистор 2SB952A

Транзистор биполярный 2SB952A

I2PAK (TO-262)

Электрические и эксплуатационные параметры:

• Тип транзистора: PNP биполярный.
• Назначение: Силовой, для применения в схемах усиления мощности и переключения.
• Коллектор-эмиттер напряжение (Vceo): -60 В.
• Коллекторный ток (Ic): -7 А (непрерывный).
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 40 Вт (при температуре корпуса 25°C).
• Коэффициент усиления по току (hfe): мин. 1000 (при Ic = -3 А, Vce = -5 В).
• Структура: С составным Дарлингтоном (Darlington), что обеспечивает очень высокий коэффициент усиления.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): макс. -2.5 В (при Ic = -3 А, Ib = -12 мА).

Температура перехода (Tj)

Это температура самого кремниевого кристалла внутри корпуса транзистора.

• Максимальная температура перехода: +150 °C Это абсолютное максимальное значение, которое нельзя превышать ни при каких условиях. Работа на этом пределе drastically сокращает срок службы компонента. На практике всегда закладывают запас.
  
  Температура хранения (Tstg)

Диапазон температур, в котором можно хранить компонент без подачи питания.

• От -55 °C до +150 °C

Температура пайки

• Пайка волной припоя (≤ 10 сек): +260 °C
• Пайка паяльником (≤ 5 сек): +350 °C (на расстоянии не менее 1.6 мм от корпуса)

Как это работает на практике (Самое важное):

Параметр "Рассеиваемая мощность 40 Вт" указан для идеальных условий, когда температура корпуса (Tc) составляет 25°C. В реальности добиться этого невозможно без мощного радиатора.

• Тепловое сопротивление (Rthj-c): 1.92 °C/Вт Это ключевой параметр. Он показывает, на сколько градусов нагревается кристалл относительно корпуса при рассеивании 1 Вт мощности.
  • Пример расчета: Если транзистор рассеивает 10 Вт, то разница температур между кристаллом и корпусом составит ΔT = 10 Вт * 1.92 °C/Вт = 19.2 °C.
• Тепловое сопротивление (Rthj-a): 62.5 °C/Вт Это сопротивление между переходом и окружающим воздухом (без радиатора). Оно очень высокое.
  • Пример: Всего 1 Вт мощности без радиатора приведет к нагреву кристалла на 62.5 °C выше ambient temperature. При мощности около 2 Вт и комнатной температуре кристалл уже достигнет своего предела в 150 °C.
• Рабочая температура корпуса (Tc) в нормальном режиме должна быть значительно ниже +150 °C (например, +80-100 °C — уже горячо).
• Для рассеивания даже средней мощности (более 1-2 Вт) обязательно требуется радиатор.
• Расчет радиатора ведется от максимальной ожидаемой мощности и желаемой температуры перехода.
  • Формула для оценки: Tj = Tc + (P * Rthj-c)
  • Где Tj — температура перехода (макс. 150°C), Tc — температура корпуса (которую вы можете измерить), P — рассеиваемая мощность.

Рабочая температура кристалла (перехода) не должна превышать +150 °C. Для обеспечения этого условия корпус транзистора необходимо охлаждать с помощью радиатора.