Транзистор 2N4400
TO92 (SST)
Корпус и назначение:
- Корпус: TO-92 (SST) — пластиковый, 3 вывода. SST — вариация корпуса TO-92.
- Назначение: Универсальный маломощный NPN-транзистор общего назначения для усиления и коммутации в аналоговых и импульсных схемах. Предназначен для широкого круга применений.
Предельные параметры (Absolute Max, Ta=25°C):
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 40 В
- Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 В
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
- Постоянный ток коллектора (IC): 600 мА
- Рассеиваемая мощность (Ptot): 625 мВт (при 25°C)
- Температура перехода (Tj): +150 °C
- Температура хранения (Tstg): -65 до +150 °C
Основные электрические характеристики (Typical, Ta=25°C, если не указано):
- Коэффициент усиления по току (hFE): 100 – 300 (при VCE=10 В, IC=150 мА)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): ≤ 0.4 В (макс., при IC=150 мА, IB=15 мА)
- Напряжение насыщения база-эмиттер (VBE(sat)): ≤ 1.2 В (макс., при IC=150 мА, IB=15 мА)
- Граничная частота усиления (fT): 250 МГц (мин., при VCE=20 В, IC=10 мА)
- Обратный ток коллектора (ICBO): ≤ 50 нА (при VCB=30 В)
- Коэффициент шума (NF): ≤ 10 дБ (тип., при VCE=5 В, IC=0.1 мА, f=1 кГц)
Температурные зависимости:
- Ptot: линейно снижается с ростом температуры окружающей среды.
- hFE: имеет положительный температурный коэффициент (увеличивается с нагревом).
- VBE: имеет отрицательный температурный коэффициент (уменьшается с нагревом, примерно -2.2 мВ/°C).
Распиновка (вид на плоскую сторону корпуса, маркировкой к себе):
- Эмиттер (E)
- База (B)
- Коллектор (C) Внимание: Распиновка E-B-C является стандартной для данного транзистора. Рекомендуется проверка перед монтажом.
Ключевые особенности:
- Универсальность и надежность: Классический, проверенный временем транзистор, известный своей надежностью и предсказуемостью параметров.
- Хорошие частотные характеристики: Достаточная граничная частота (fT ≥ 250 МГц) позволяет использовать его не только в низкочастотных, но и в УКВ-схемах.
- Сбалансированные параметры: Хорошее сочетание допустимого тока (600 мА), напряжения (40 В) и частотных свойств.
Типовое применение:
- Усилительные каскады низкой и звуковой частоты.
- Ключевые схемы для коммутации нагрузок средней мощности (реле, соленоиды, светодиодные ленты, маломощные двигатели).
- Драйверы для более мощных транзисторов или MOSFET.
- Генераторы, мультивибраторы и формирователи импульсов.
- Интерфейсные схемы управления от микроконтроллеров.