TPC8111 транзистор

Silicon P-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=11A, Pd=1,9W, Rds(on)=8,1 mOhm (This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution)

Наименование прибора: TPC8111

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 107 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 590 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOP8