TK80A08K3 транзистор

Silicon N Channel MOS Type, Vdss=75V, Id=80A, Idp=320A, Pd=40W, Rds(on)=3,6 mOhm

Наименование прибора: TK80A08K3

Маркировка: K80A08K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 175 nC

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 1140 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS