STD11NM65M5 транзистор

Mdmesh N-Channel Power MOSFET, Vdss=650V, Id=9A, Ptot=85W, Rds(on)=0,43 Ohm

Наименование прибора: STD11N65M5

Маркировка: 11N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Выходная емкость (Cd): 20 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm

Тип корпуса: DPAK