STB85NF55 транзистор

Automotive-grade N-channel Power MOSFET, Vds=55V, Id=80A, Rds(on)= 8,0 mOhm, Ptot=300W

Наименование прибора: STB85NF55

Маркировка: B85NF55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V

|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj - Максимальная температура канала: 175 °C

Qg - Общий заряд затвора: 120 nC

tr - Время нарастания: 100 ns

Coss - Выходная емкость: 900 pf

Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: D2PAK