SPD04N60C3 транзистор

N Channel, Id=4.5A, Vds=650V, Rds(on)=0.85ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=3V, Pd=50W, корпус-TO-252-3, t-150°C

Наименование прибора: SPD04N60C3   

Маркировка: 04N60C3   

Тип транзистора: MOSFET   Полярность: N   

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W   

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V   

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V   

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V   

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A   

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C   

Общий заряд затвора (Qg): 19 nC   

Время нарастания (tr): 2.5 ns   

Выходная емкость (Cd): 160 pf   

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm   

Тип корпуса: TO252