RSS070N05 транзистор

Silicon N-Channel Power MOSFET, Vdss=45V, Id=7,0A, Pd=2W, Rds(on)=18 mOhm, (Built-in G-S Protection Diode)

Наименование прибора: RSS070N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Время нарастания (tr): 27 ns

Выходная емкость (Cd): 230 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP-8