P2103NVG транзистор

N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, N-Channel: Vdss=30V, Id=7A, Rds(on)=21 mOhm, P-Channel: Vdss=30V, Id=6A, Rds(on)=35 mOhm, Pd=2W

Наименование прибора: P2103NVG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 11 ns

Выходная емкость (Cd): 218 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm

Тип корпуса: SOP8