MDS5652 транзистор

30V Dual N-Channel MOSFET Id=7,5A,Pd=2W,Rds(on)=22 mOhm

Наименование прибора: MDS5652URH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 24.6 ns

Выходная емкость (Cd): 154 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8