IRF7301TR транзистор

Dual N-channel HexFET Power MOSFET, Vdss=20V, Id=5,2A, Pd=2W, Rds(on)=0,05 Ohm Технические параметры Структура 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 40 мОм/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2 Крутизна характеристики, S 8.3 Корпус SOIC-8 Пороговое напряжение на затворе 0.7 min. Вес, г 0.15