IRF6775MTRPBF транзистор

Digital Audio N-channel MOSFET, Vds=150V, Id=28A, Rds(on)=47 mOhm, Pd=89W

Особенности

• Новейшая технология MOSFET Silicon

• Ключевые параметры оптимизированы для применения в усилителях класса D

• Низкий RDS(on) для повышения эффективности

• Низкий Qg для улучшения THD и повышения эффективности

• Низкий Qrr для улучшения THD и снижения электромагнитных помех

• Низкая паразитная индуктивность корпуса для снижения звона и снижения электромагнитных помех

• Может выдавать до 250 Вт на канал при нагрузке 4 Ом в

Усилителе с полумостовой конфигурацией

• Совместимость с двухсторонним охлаждением

Совместимость с существующими технологиями поверхностного монтажа

Соответствует RoHS, не содержит свинца или бромида

Без свинца (сертифицировано до 260 °C оплавления)

Устройство IRF6775MPbF использует технологию упаковки DirectFETTM. Технология упаковки DirectFETTM обеспечивает более низкую паразитную индуктивность и сопротивление по сравнению с обычной проволочной упаковкой SOIC. Более низкая индуктивность улучшает характеристики электромагнитных помех за счет снижения звона напряжения, сопровождающего быстрые переходные процессы тока. Корпус DirectFETTM совместим с существующими геометриями компоновки, используемыми в силовых приложениях, оборудовании для сборки печатных плат и методах пайки паровой фазой, инфракрасным или конвекционным методом, когда соблюдается примечание по применению AN-1035 относительно метода и процессов производства. Корпус DirectFETTM также допускает двухстороннее охлаждение для максимизации теплопередачи в силовых системах, улучшая тепловое сопротивление и рассеивание мощности. Эти характеристики в совокупности делают этот МОП-транзистор высокоэффективным, прочным и надежным устройством для приложений аудиоусилителей класса D

IRF6775MTRPBF — это силовой N-канальный полевой (MOSFET) транзистор, специально оптимизированный для высококачественных цифровых аудиоусилителей. Главной особенностью транзистора является его металлический бескорпусный дизайн DirectFET (размер MZ), который обеспечивает двухстороннее охлаждение и минимальную паразитную индуктивность.

Техническое описание и характеристики

Компонент разработан компанией International Rectifier (ныне Infineon). За счет оптимизированного заряда затвора (\(Q_{g}\)) и параметров обратного восстановления встроенного диода (\(Q_{rr}\)) он минимизирует коэффициент гармоник (THD) и уровень электромагнитных помех (EMI) в импульсных схемах. [1, 2, 3]

• Тип канала: N-канальный
• Максимальное напряжение сток-исток (\(V_{DS}\)): 150 В
• Максимальный ток стока (\(I_{D}\)): 4.9 А (при охлаждении через плату) / до 28 А (при использовании верхнего радиатора)
• Сопротивление открытого канала (\(R_{DS(on)}\)): 47 мОм (типичное) / 56 мОм (максимальное) при \(V_{GS} = 10\) В
• Максимальная мощность (\(P_{D}\)): 2.8 Вт (без радиатора) / 89 Вт (с эффективным теплоотводом)
• Тип корпуса: DirectFET MZ

Область применения

Транзистор применяется в устройствах с высокими требованиями к КПД и плотности мощности:

• Аудиоусилители Класса D (Class-D) — основное назначение; способен выдавать до 250 Вт на канал на нагрузку 4 Ом в полумостовой топологии.
• Высокочастотные DC-DC преобразователи.
• Импульсные источники питания (SMPS).
• Компактные схемы управления электродвигателями.

Как проверить IRF6775MTRPBF мультиметром

⚠️ Важно: Проверку металлических транзисторов DirectFET лучше всего проводить, предварительно выпаяв их из платы, так как внутренние цепи устройства могут исказить показания. Из-за отсутствия стандартных жестких выводов (ножек) касаться контактных площадок на нижней стороне или металлической крышки (сток) нужно аккуратно. [1]

Распиновка корпуса DirectFET MZ:

• Сток (Drain / D) — вся металлическая верхняя крышка транзистора.
• Затвор (Gate / G) — маленькая контактная площадка на нижней (брюшной) стороне.
• Исток (Source / S) — крупные контактные площадки на нижней стороне. [1, 2, 3]

Пошаговая методика проверки:

• Переключите мультиметр в режим проверки диодов.
• Разрядите транзистор: кратковременно замкните все его выводы (крышку и нижние контакты) пинцетом или пальцем, чтобы снять остаточный заряд с затвора.
• Проверка встроенного диода (транзистор закрыт):
  • Приложите черный (минусовой) щуп к Стоку (металлическому корпусу-крышке).
  • Приложите красный (плюсовой) щуп к Истоку.
  • Результат: Мультиметр должен показать падение напряжения встроенного диода в диапазоне 0.4 – 0.7 В. Если на экране 0 (короткое замыкание) или 1 / OL (обрыв) — транзистор неисправен. [1]
• Проверка на отсутствие пробоя в обратном направлении:
  • Поменяйте щупы местами (Красный на Сток, Черный на Исток).
  • Результат: Прибор должен показать бесконечность (1 или OL).
• Открытие транзистора (проверка исправности затвора):
  • Оставьте черный щуп на Истоке, а красным щупом прикоснитесь к контакту Затвора (G) на 1–2 секунды. Этим действием напряжение мультиметра зарядит внутреннюю емкость затвора.
  • Перенесите красный щуп обратно на Сток (D).
  • Результат: Полевой транзистор должен открыться. Мультиметр покажет падение напряжения близкое к нулю или очень низкое значение (канал проводит ток в обе стороны).
• Закрытие транзистора:
  • Не убирая черный щуп с Истока, прикоснитесь черным щупом или пальцем одновременно к Истоку и Затвору. Затвор разрядится.
  • Повторите шаг №3. Транзистор должен снова закрыться, а прибор — показать падение напряжения только на диоде (0.4 – 0.7 В).

Если транзистор не открывается, не закрывается или звонится «накоротко» между любыми выводами (особенно между затвором и истоком/стоком) — он поврежден и подлежит замене.