IRF6612 транзистор

HEXFET Power MOSFET, Vdss=30V,Id=24A, Rds(on)=3,3 mOhm, Pd=89W

Наименование прибора: IRF6612

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 52 ns

Выходная емкость (Cd): 780 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET