IRF3205S транзистор

N Channel, Id=110A, Vds=55V, Rds(on)=0.008ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=200W, корпусTO-263-3, t-175°C

Наименование прибора: IRF3205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V

|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj - Максимальная температура канала: 175 °C

Qg - Общий заряд затвора: 146(max) nC

tr - Время нарастания: 101 ns

Coss - Выходная емкость: 781 pf

Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO263