IRF3205S транзистор

N Channel, Id=110A, Vds=55V, Rds(on)=0.008ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=200W, корпусTO-263-3, t-175°C

IRF3205S — это мощный N-канальный полевой (MOSFET) транзистор, выполненный по технологии HEXFET . Главная отличительная черта версии с индексом «S» — исполнение в корпусе D2PAK (TO-263), предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Он отличается ультранизким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения.

Основные технические характеристики

• Тип проводимости: N-канал
• Максимальное напряжение сток-исток (\(V_{DS}\)): 55 В
• Максимальный ток стока (\(I_{D}\)): 110 А (при температуре корпуса 25°C, однако ток выводов самого корпуса D2PAK конструктивно ограничен величиной около 75 А)
• Импульсный ток стока: до 390 А
• Сопротивление открытого канала (\(R_{DS(on)}\)): не более 8.0 мОм (0.008 Ом) при напряжении на затворе 10 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (\(P_{D}\)): 200 Вт
• Пороговое напряжение затвора (\(V_{GS(th)}\)): 2.0 – 4.0 В
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C

Области применения

Благодаря высокой токовой способности, транзистор активно применяется в низковольтных схемах с большими токами: [1, 2]

• Автомобильная электроника: коммутация сильноточных нагрузок, блоки управления климатом, подогревом и бортовой электросетью 12 В.
• Инверторы и ИБП: силовые каскады преобразователей напряжения (например, из 12 В в 220 В) и источников бесперебойного питания.
• Управление двигателями: DC-DC конвертеры, ШИМ-регуляторы оборотов мощных коллекторных электродвигателей, контроллеры для электроинструментов.
• Импульсные источники питания: высокочастотные силовые ключи и регуляторы мощности. [1, 2, 3, 4, 5, 6]

Особенности монтажа

Так как корпус D2PAK не имеет сквозного отверстия под классический винтовой радиатор, отвод тепла осуществляется через массивную металлическую подложку транзистора, которая припаивается непосредственно на медный полигон печатной платы.