FDS6930B транзистор

Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET, Vdss=30V, Id=5,5A, Pd=2W, Rds(on)=38 mOhm

Наименование прибора: FDS6930B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 2.7 nC

Время нарастания (tr): 6 ns

Выходная емкость (Cd): 90 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm

Тип корпуса: SO-8