NPN general purpose transistors Vceo 65V 100mA Uni, 80V, 100MHz SMD
RANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 65V; Current, Ic Continuous a Max: 100mA; Voltage, Vce Sat Max: 200mV; Power Dissipation: 500mW; Hfe, Min: 200; ft, Typ: 300MHz; Case Style: SOT-23; Termination Type: SMD; Temperature, Operating Range: -65°C to +150°C; Current, Ic Max: 100mA; Current, Ic hFE: 2mA; Device Marking: BC846B; Marking, SMD: 1B; NF, Max: 10dB; Pins, No. of: 3; Power, Ptot: 250mW; Quantity, Reel: 3000; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 80V; Width, Tape: 8mm; ft, Min: 100MHz Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Вес, г 0.08