2SK3102 транзистор

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET, Vds=600V, Id=10A, Pd=80W, Rds(on)=0,85 Ohm

Наименование прибора: 2SK3102-01R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 170 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-3PF