2SD2081 транзистор

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Darlington), Vceo=120V, Ic=10A, Pc=30W, hfe=2000, ft=100 MHz (Complement to type 2SB1259)

Наименование производителя: 2SD2081

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000

Корпус транзистора: TO220F FM20