2SD1616 транзистор

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING 60V 1A 0,75W 100-160MHz

Биполярный транзистор 2SD1616 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1616

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135

Корпус транзистора: TO92