2SC5552 транзистор

Silicon NPN Triple Diffusion Mesa Type, Vces=1700V, Ic=16A, Pc=65W, hfe=12, ft=2 MHz

Наименование производителя: 2SC5552

Маркировка: C5552

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6

Корпус транзистора: TOP-3E